Аннотация:
В работе излагаются результаты изучения вольт-амперных (ВАХ)
и вольт-фарадных (ВФХ) характеристик кремниевых структур
полупроводник$-$диэлектрик$-$полупроводник
$p^{+}$-Si$^{*}-$SiO$_{2}{-}p$-Si с толщиной диэлектрика менее 50 Å. Определенная величина поверхностного начального изгиба зон в $p$-кремнии
составляла $\varphi^{0}_{s}=640{-}720$ мВ при толщинах окисла от 20
до 33 Å. Вольт-амперные характеристики при
напряжениях прямого смещения, больших поверхностного начального изгиба
зон в $p$-Si, носят резко выраженный пороговый характер, что связано
с переходом границы раздела Si$-$S$_{2}$O$_{2}$ в состояние обогащения
основными носителями заряда (дырками). При этом ток определяется
туннелированием основных носителей заряда из аккумуляционного дырочного
слоя через окисел в $p^{+}$-поликремний. Характер спада прямого тока с толщиной окисного слоя свидетельствует
об отличии структуры окисных слоев толщиной 20$-$33 Å
от структуры SiO$_{2}$ стехиометрического состава.