Роль объемных глубоких центров в формировании поверхностной фотоэдс в низкоомных монокристаллах ZnSe

Методом спектроскопии поверхностной фотоэдс (ПФЭ) и фотопроводимости (ФП) исследованы низкоомные монокристаллы ZnSe, выращенные из расплава при повышенном давлении паров Zn. В области примесного поглощения полупроводника (1.3$-$2.0 эВ) обнаружен новый тип инверсии ПФЭ, который, несмотря на сильную поверхностную чувствительность, не связан с прямым фотостимулированным перезарядом поверхностных электронных состояний (ПЭС). Данный эффект формируется в результате фотовозбуждения объемных глубоких уровней (ГУ) и захвата части неравновесных носителей из зоны проводимости на ПЭС. Используя экспериментально определенные параметры области пространственного заряда (ОПЗ) и ГУ исследуемых кристаллов, провели численные расчеты амплитуды и люкс-вольтовых зависимостей стационарной примесной ПФЭ, которые подтвердили существование такого механизма инверсии ПФЭ. Показано, что резкое возрастание положительной примесной ПФЭ в спектральной области 2.0$-$2.6 эВ связано с двойными оптическими и/или фототермическими переходами, приводящими к появлению свободных дырок в валентной зоне, с их последующей аккумуляцией в ОПЗ и/или захватом на ПЭС.