Рекомбинационные процессы в полупроводниках Mg$_{x}$Cd$_{1-x}$Se в условиях предельной перезарядки локальных центров

Изучались высокоомные в темноте и фоточувствительные кристаллы Mg$_{x}$Cd$_{1-x}$Se состава ${x=0.2}$ с шириной запрещенной зоны ${E_{g}=1.95}$ эВ при ${T=300}$ K.
Измерялись термостимулированная (ТСП) и темновая проводимости, люксамперные (ЛАХ), спектральные, температурные и кинетические характеристики фототока $I_{\text{ф}}$, спектральные и температурные характеристики фотолюминесценции $W$.
Определены параметры $r$-центров фоточувствительности. Показано, что, если между концентрациями $t$-центров прилипания и $r$-центров выполняется неравенство ${\mathfrak{N}_{t}\ll\mathfrak{N}_{r}}$, возможно корректное определение параметров $t$-центров по наклону термической активации (ТАФ) и кратности ТАФ.
В случае ${\mathfrak{N}_{t}\simeq\mathfrak{N}_{r}}$ происходит оптическая перезарядка между $t$- и $r$-центрами (ниже области ТАФ), что приводит к сильному электронному опустошению центров чувствительности, резко снижается эффективность их как канала рекомбинации, исчезает примесный фотоэффект, уменьшаются величины оптического гашения и интенсивность люминесценции.
Показано, что интенсивность люминесценции и гашения активируется с энергией $E_{i}$, вдвое меньшей глубины залегания $t$-центров. Если предположить, что эти центры определяют величину темновой проводимости кристалла, то энергия ее активации должна вдвое превышать $E_{i}$.