RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 1, страницы 176–180 (Mi phts4571)

Краткие сообщения

Рекомбинация носителей заряда в термообработанном Si с различными типами ростовых микродефектов

И. И. Колковский, В. Ф. Латышенко, П. Ф. Лугаков, В. В. Шуша




© МИАН, 2024