RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1992
, том 26,
выпуск 1,
страницы
176–180
(Mi phts4571)
Краткие сообщения
Рекомбинация носителей заряда в термообработанном Si с различными типами ростовых микродефектов
И. И. Колковский
, В. Ф. Латышенко
,
П. Ф. Лугаков
,
В. В. Шуша
Полный текст:
PDF файл (657 kB)
©
МИАН
, 2024