Эффект усиления фототока в структурах полупроводник$-$туннельно-прозрачный диэлектрик$-$полупроводник

Структуры металл$-$диэлектрик$-$полупроводник и полупроводник$-$диэлектрик$-$полупроводник с проводящим диэлектрическим слоем представляют интерес из-за обнаруженного в них эффекта усиления фототока. Приведены обобщенные результаты исследования эффекта усиления фототока в структурах вырожденный поликремний$-$туннельно-прозрачный слой двуокиси кремния$-$кремний при различных толщинах диэлектрического слоя. Получены величины коэффициента усиления ${M=400}$, близкие к теоретической оценке максимальной величины $M$. Исследована кинетика фотоответа структур в режиме усиления фототока. Экспериментально и теоретически проанализирована связь коэффициента усиления и величины темнового тока при напряжениях, соответствующих режиму усиления фототока. Сделан вывод, что реализация значительного усиления при малых величинах темнового тока возможна только при толщинах диэлектрического слоя, предельных для обнаружимого туннельного тока, быстродействие при этом, однако, не превысит единиц секунд при слабых световых потоках.