Энергия связи экситонов в магнитосмешанных полупроводниках в магнитном поле

Для гексагонального магнитосмешанного полупроводника (МСП), энергетические зоны которого расщеплены по спину эффективным обменным полем $G$, решена задача об энергии связи экситонов $R^{ex}$, образованных носителями заряда из определенных спиновых подзон. Показано, что в актуальном случае $H\parallelc_{6}$ ($H$ — внешнее магнитное поле, $c_{6}$ — ось 6-го порядка МСП) поле $G$ ($\parallelH$) может заметно повлиять на эффективные массы в $B$- и $C$-дырочных подзонах, при этом для разных спиновых состояний по-разному. В результате появляется зависимость $R^{ex}$ от $G$ для экситонов, соответствующих данным дырочным подзонам. Численные оценки, проведенные для Cd$_{1-x}$Mn$_{x}$S, показали, что энергия связи экситонов, зависящая от магнитного поля, заметно изменяет расщепление $\pi$-компонент экситонных переходов.