Влияние ионной имплантации компенсирующей примеси на оптические свойства $n^{+}$-GaAs

Рассмотрены спектры отражения и дисперсия поверхностных плазмон-фононных поляритонов сильно легированного арсенида галлия $n$-типа, подвергнутого бомбардировке компенсирующими ионами O$^{+}$. Путем решения оптимизационной задачи из спектров отражения в принятом одноступенчатом приближении определены параметры имплантированного слоя, обнаружено расхождение полученных значений глубины имплантированного слои с теорией Линдхарда$-$Шарфа$-$Шиотта. Достигнуто хорошее соответствие результатов, полученных из спектров внешнего ИК отражения света и дисперсионных зависимостей поверхностных лоляритонов при полной компенсации заряда в имплантированном слое.