Высокочастотная модуляция выходной мощности полупроводникового лазера на двойной гетероструктуре $n^{+}$-AlGaAs$-$GaAs$-p^{*}$-AlGaAs греющим электрическим полем

Теоретически исследован метод модуляции выходного излучения полупроводникового лазера на двойной гетероструктуре $n^{+}$-AlGaAs$-$GaAs$-p^{+}$-AlGaAs при разогреве электронов в активной области лазера внешним высокочастотным электрическим полем. Проведенный малосигнальный анализ отклика выходного излучения на высокочастотные изменения греющего поля показал преимущество предлагаемого метода модуляции перед широко распространенным методом модуляции излучения лазера током накачки. Показано, что при воздействии на лазер одиночного импульса греющего поля пикосекундной длительности лазер излучает одиночный оптический импульс длительностью несколько пикосекунд.