Нейтронное облучение Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te

Исследовалась возможность нейтронного трансмутационного легирования и его влияния на фотолюминесцентные и фотоэлектрические свойства Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te.
Установлено, что при облучении $n$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te (${x=0.2{-}0.3}$) тепловыми нейтронами флюенсом $10^{17}{-}10^{18}$ см$^{-2}$ и последующем термическом отжиге в насыщенных парах ртути образуется материал $p$-типа проводимости, концентрация дырок в котором зависит от дозы облучения. Наиболее вероятным источником акцепторов является ядерная реакция $^{196}\mathrm{HG}_{80}(n, \gamma)^{197}\mathrm{Hg}_{80}\rightarrow\,^{197}\mathrm{Au}_{79}$, что подтверждается активационным анализом. Нейтронное легирование не приводит к сильным изменениям фотоэлектрических и фотолюминесцентных свойств.
Изменение времени жизни неравновесных носителей в Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te $(x\sim 0.2)$ обусловлено изменением концентрации равновесных носителей заряда, введения же глубоких рекомбинационных центров не наблюдается. В спектре фотолюминесценции нейтронно легированного Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te $(x\sim 0.3)$ наблюдается появление новой полосы излучения, обусловленной введением акцепторов с энергией ионизации $E_A =[19-22]$ мэВ. По изменению полуширины полосы излучения проведены оценки концентрации акцепторов $N_A=2\cdot 10^{16}$ см $^{-3}$ и степени компенсации $K=0.85$.