RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 3, страницы 420–426 (Mi phts4605)

Нейтронное облучение Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te

В. И. Иванов-Омский, Н. В. Кутехов, В. А. Смирнов, Ш. У. Юлдашев, О. А. Гадаев


Аннотация: Исследовалась возможность нейтронного трансмутационного легирования и его влияния на фотолюминесцентные и фотоэлектрические свойства Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te.
Установлено, что при облучении $n$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te (${x=0.2{-}0.3}$) тепловыми нейтронами флюенсом $10^{17}{-}10^{18}$ см$^{-2}$ и последующем термическом отжиге в насыщенных парах ртути образуется материал $p$-типа проводимости, концентрация дырок в котором зависит от дозы облучения.



© МИАН, 2024