Природа нестабильности свечения в светоизлучающих CaP : N-структурах

Проведено комплексное исследование (с использованием электрических, электролюминесцентных методов, релаксационной емкостной спектроскопии глубоких уровней и вторичной ионной масс-спектрометрии) инерционно-стимулированных процессов, возникающих в GaP : N-светодиодах в результате прохождения прямого тока ${I=5\div30}$ мА в течение первых $2\div5$ мин. Показано, что нестабильность свечения СД обусловлена не процессами у контактов, а рекомбинационно-стимулированным отжигом дефектов в активной области приборов. Обнаружено, что стабильные СД содержат существенно большее количество O, C и их соединений.
Предлагается возможная физическая модель исследованных процессов.