RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 11, страницы 2008–2015 (Mi phts461)

Пограничные состояния в гетеропереходах

Р. А. Сурис


Аннотация: На основе кейновской модели зонной структуры показано, что вблизи резкого гетероперехода возникают пограничные состояния. Для гетеропереходов, образованных полупроводниками с нормальной зонной структурой, энергии пограничных состояний лежат в пределах валентной зоны. Если же один из полупроводников имеет инверсную зонную структуру, спектр пограничных состояний попадает в запрещенную зону. Изучены особенности спектра электронных и дырочных состояний в глубоких квантовых ямах, образованных двумя близко расположенными гетеропереходами, и прослежена роль пограничных состояний в формировании дырочного спектра.



© МИАН, 2024