Ложные пики в спектрах DLTS планарных диодных структур

Проведены исследования планарных DLTS-структур на основе высокоомного $n$-кремния. Установлено появление ложных пиков DLTS, не связанных с глубокими уровнями в запрещенной зоне полупроводника.