Цинк в кремнии: фотоиндуцированные реакции

Обнаружены взаимосвязанные эффекты тушения и регенерации фотопроводимости в кремнии $n$- и $p$-типа, легированном цинком. Полученные результаты объясняются в рамках модели глубокого дефекта с немонотонной зависимостью константы электрон-колебательного взаимодействия от числа электронов на центре. Показано, что тушение и регенерация фотопроводимости обусловлены долговременными процессами перезарядки двойного акцептора цинка, сопровождающимися его туннелированием между позициями разной симметрии в решетке кремния. Определена роль эффекта Штарка в динамике туннелирования изолированного центра цинка, которая управляет рекомбинацией неравновесных носителей в монокристаллах кремния.