О природе долговременной релаксации фотопроводимости в эпитаксиальных пленках теллурида свинца

Исследовалась кинетика фотопроводимости (ФП) эпитаксиальных слоев $n$-РbТе на подложках (111) BaF$_{2}$ при 77 K. Наблюдались зависимость знака ФП от длины волны и интенсивности излучения, самогашение ФП, а при выключении излучения — долговременная релаксация фотопроводимости (ДР ФП) и остаточная проводимость (ОП). Экспериментальные результаты объясняются наличием двух компонентов ФП: положительной ФП, связанной с генерацией фотоносителей в объеме эпитаксиальной пленки, и отрицательной ФП, связанной с генерацией фотоносителей в приповерхностной области полупроводника и их захватом на медленные поверхностные состояния.
Проведено сравнение опубликованных данных по ДР ФП в блочных монокристаллических пленках $p$- и $n$-РbТе на слюде (размер блоков ${0.1\div0.5}$ мкм) с полученными результатами по ДР ФП в эпитаксиальных пленках $n$-РbТе на (111) BaF$_{2}$ (размер блоков ${5\div10}$ мм). Предполагается, что ДР ФП в обоих случаях имеет общую природу и связана с захватом фотоэлектронов на акцепторные состояния, образовавшиеся вследствие адсорбции кислорода на межблочных границах или на поверхности пленки.