Фотоиндуцированное образование центров поверхностной рекомбинации в арсениде галлия

В экспериментах с использованием техники микрофотолюминесценции исследовано явление «деградации» фотолюминесценции (ФЛ) GaAs. Установлено, что природа явления связана с фотоиндуцированным изменением рекомбинационных характеристик поверхности образцов. Показано, что условия транспорта неравновесных носителей в области поверхностного заряда определяют скорость процессов деградации. Помимо увеличения плотности поверхностных электронных состояний в результате фотохимических реакций в слое собственного окисла деградация ФЛ отчасти является результатом захвата в слое собственного окисла заряда, обеспечивающего благоприятные условия для увеличения темпа поверхностной рекомбинации.