Особенности магнитополевых зависимостей кинетических коэффициентов в двухслойных структурах Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te

Исследованы особенности магнитополевых зависимостей коэффициента Холла $R_{H}$ и относительного магниторезистивного эффекта $\Delta\rho/\rho$ в эпитаксиальных пленках $p$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te (${x\sim0.21}$), а также в $n{-p$-струк}турах, сформированных в результате механической обработки поверхности кристаллов $p$-Cd$_{x}$Ho$_{1-x}$Te. Экспериментально обнаружен и подтвержден теоретическим расчетом участок слабой магнитополевой зависимости $\Delta\rho_{\perp}/\rho$ в двухслойной $n{-}p$-структуре; определены условия появления точки перегиба на электронном участке экспериментальных зависимостей $R_{H}(B)$ двухслойных структур. Установлено, что благодаря большому отклонению подвижностей электронов и дырок в твердых растворах Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te влияние приповерхностного $n$-слоя в эпитаксиальной пленке $p$-типа проводимости существенно даже при выполнении неравенства $\sigma_{n}d_{n}\ll\sigma_{p}d_{p}$ ($\sigma_{n},\sigma_{p}$ — электропроводность, $d_{n},d_{p}$ — толщина соответственно $n$- и $p$-слоев), в то время как характерный для $p$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te участок насыщения $M(B)$ и инверсия $R_{H}(B)$ имеют место даже при выполнении условия ${\sigma_{n}d_{n}>\sigma_{p}d_{p}}$.