Шум $1/f$, электрические и фотоэлектрические свойства GaAs, подвергнутого облучению ионами высокой энергии

Исследовано влияние облучения ионами азота с энергией ${\sim18}$ МэВ на характеристики $n$-GaAs. Ранее такое облучение использовалось для создания вблизи зеркал GaAs/GaAlAs-лазеров областей эффективного насыщающегося поглотителя.
Исследованы зависимости от дозы облучения сопротивления, кинетики спада фотопроводимости при низком уровне возбуждения и низкочастотного шума. Полученные результаты противоречат ранее высказанному предположению, что под влиянием облучения ионами в материале возникают тонкие аморфизированные цилиндры вдоль треков пробега частиц. Результаты свидетельствуют в пользу того, что основным механизмом дефектообразования в области исследованных доз ${10^{10}\leqslant\Phi\leqslant10^{12}}$ см$^{-2}$ является генерация точечных акцепторных дефектов.