Диоды Ганна на основе гетероструктуры $n$-InGaAs$/n^{+}$-InP

Рассмотрены особенности транспорта электронов в диодах Ганна на основе эпитаксиальных гетероструктур $n$-In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As$/n^{+}$-InP. На основе анализа ВАХ диода получена BAX собственно гетероперехода. Показано, что особенность на этой ВАХ обусловлена влиянием барьера высотой 0.17$-$0.18 эВ в $n^{+}$-слое, ограничивающее влияние которого на ток снимается при напряжениях на гетеропереходе ${\sim0.1}$ В. Наличие барьера способствует разрушению бегущего домена сильного поля и объясняет наблюдаемую зависимость частоты генерации от толщины активного $n$-слоя.