О спектральной зависимости фотопроводимости и фотомагнитного эффекта в эпитаксиальных слоях Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te/CdTe с анодно-окисленной свободной поверхностью

В эпитаксиальных слоях Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te (${x\simeq0.20}$), выращенных методом жидкофазной эпитаксии на подложке из монокристаллического CdTe и защищенных с лицевой стороны анодным окислом, исследовались спектральное распределение фотопроводимости, фотомагнитного эффекта, а также гальваномагнитные характеристики в зависимости от зарядового состояния поверхности. Последнее управлялось с помощью ультрафиолетовой подсветки. Все особенности фотоэлектрических, а также гальваномагнитных характеристик эпитаксиальных слоев $n$- и $p$-типа проводимости интерпретированы в рамках представлений, учитывающих изменение изгиба зон и скорости поверхностной рекомбинации, а также наличие поля, обусловленного градиентом ширины запрещенной зоны.