Исследование параметров зонной структуры приповерхностных слоев бесщелевых полупроводников (CdHg)Te и HgTe методом эффекта поля в электролитах

Представлены результаты исследования методом эффекта поля в электролитах приповерхностных слоев бесщелевых полупроводников (CdTg)Te и HgTe. Показано, что положение уровня Ферми в бесщелевых (CdHg)Te и HgTe при комнатных температурах удовлетворительно описывается в модели бесщелевого полупроводника с флуктуационным потенциалом. В приповерхностных слоях бесщелевых (CdHg)Te и HgTe определены закон дисперсии и эффективные массы плотности состояний зоны проводимости, а также высказано предположение о структуре валентных зон в приповерхностных слоях этих материалов. Впервые экспериментально обнаружена «ступенчатая» структура на зависимостях дифференциальной емкости области пространственного заряда бесщелевых полупроводников от температуры.