Тонкая структуры $A$-линии связанного экситона в твердом растворе GaAs$_{x}$P$_{1-x}:{}$N

Исследовано оптическое поглощение в области $A$-линии связанного экситона в GaAs$_{x}$P$_{1-x}$, легированном азотом. Обнаружена тонкая структура этой линии, обусловленная флуктуациями состава. В предложенной теоретической модели предполагается, что сначала формируется свободный экситон, который затем связывается на $\delta$-образном потенциале изоэлектронной ловушки как единое целое. Наблюдается хорошее согласие расчетных и экспериментальных данных.