RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 4, страницы 653–668 (Mi phts4645)

Методика определения разрыва зон на гетерогранице по измерениям вольт-фарадных характеристик $m{-}s$-гетероструктуры

Д. Н. Бычковский, О. В. Константинов, М. М. Панахов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Предложена методика определения зон на гетерогранице по зависимостям концентрации легирующей примеси от напряжения, полученных путем численного дифференцирования вольт-фарадных характеристик $m{-}s$-структур с изотопным гетеропереходом. Данный метод отличается высокой точностью (ошибка не превосходит 3%) и простотой. Построены аппроксимационные выражения для интегральной функции $K(u)$, которая описывает толщину проводящей области. Использование аппроксимационных выражений для $K(u)$ позволяет значительно уменьшить время расчета.

Поступила в редакцию: 18.10.1991
Принята в печать: 31.10.1991



© МИАН, 2025