Особенности валентных зон некоторых соединений A$^{\text{II}}$B$^{\text{V}}$

Исследованы оже-спектры поверхностей кристаллов ZnP$_{2}$ ($D_{4}^{8}$), ZnP$_{2}$ (C$_{2h}^{5}$), CdP$_{2}$, CdP$_{4}$, ZnAs$_{2}$. Разработана модель и восстановлены “истинные” оже-линии элементов (Zn, Cd, As, P) по дифференциальным спектрам. Показано, что оже-линии фосфора в соединениях ZnP$_{2}$ (D$_{4}^{8}$), CdP$_{2}$, CdP$_{4}$ согласуются с известными для этих материалов рентгеновскими эмиссионными линиями фосфора P$L_{2,3}$, P$K_{\alpha}$ и с результатами теоретических расчетов структуры зон. Получено распределение плотности занятых состояний в валентной зоне. Показано, что валентная зона в соединениях ZnP$_{2}$, ZnAs$_{2}$, CdP$_{2}$ и CdP$_{4}$ состоит из групп зон (подзон), максимумы плотности занятых состояний в которых разделены на различные величины. Определены величина расщепления валентных зон. Показано, что восстановленные оже-линии в совокупности с рентгеновскими спектрами представляют информацию о формировании валентной зоны $S$- или $P$-состояниями цинка или фосфора.