Особенности туннелирования в барьерах Шоттки на основе узкощелевого полупроводника $p$-Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te

При ${4.2<T<250}$ K исследованы электрофизические характеристики барьеров Шоттки Pb (Sn) — $p$-Hg$_{1-x$Cd$_{x}$Te} [${x=0.2{-}0.4}$, ${N_{A}{-}N_{D}=(0.2{-}10)\cdot10^{15}\,\text{см}^{-3}}$] с близкими к единице коэффициентами идеальности. Для всех составов и уровней легирования уровень Ферми на поверхности полупроводника закреплен на расстоянии $\varphi_{0}$ $2Eg/3$ от вершины валентной зоны. Экспериментальные результаты удается описать в двухзонном кейновском приближении для закона дисперсии только при одновременном учете (зачастую в одном и том же интервале $T$) межзонного туннелирования, туннелирования с участием глубоких уровней, термополевой эмиссии и надбарьерных механизмов. Обнаруженные аномалии в температурных зависимостях обратных туннельных токов объясняются температурными изменениями эффективной массы и $\varphi_{0}$ при низких $T$ и доминированием межзонной термополевой эмиссии в области высоких $T$.