Экранирование поля в $p{-}i{-}n$-структурах на основе арсенида галлия при приложении напряжения обедняющей полярности

С помощью оптического метода наблюдения эволюции электрического поля, использующего эффект Франца$-$Келдыша, исследовалась обратно смещенная $p{-}i{-}n$-структура на основе слабо легированного арсенида галлия. Обнаружено, что экранирование поля в объеме структуры происходит в два этапа. На первом этапе после включения напряжения устанавливается квазистационарное распределение поля в $i$- и $n^{0}$-слоях за время ${t<1}$ мкс. Распределение поля в $p^{0}$-слое при этих малых временах остается однородным. На втором этапе происходит экранирование в $p^{0}$-слое с вытеснением поля в $i-$ и $n^{0}$-слои за время ${t\sim1}$ с, которое определяется темпом ионизации глубокого акцепторного уровня. Дано описание наблюдаемой эволюции поля. Определен ряд параметров структуры.