Е. А. Аврутин, В. И. Корольков, Н. Ю. Юрлов, А. В. Рожков, А. М. Султанов, “Динамические характеристики мощных импульсных GaAs/AlGaAs-суперлюминесцентных светодиодов”, Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 4,страницы 719

Динамические характеристики мощных импульсных GaAs/AlGaAs-суперлюминесцентных светодиодов

Е. А. Аврутин, В. И. Корольков, Н. Ю. Юрлов, А. В. Рожков, А. М. Султанов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Теоретически и экспериментально рассмотрены динамические характеристики мощных импульсных GaAs/AlGaAs-суперлюминесцентных светодиодов (СЛД). Предложена математическая модель, описывающая временную зависимость концентрации инжектированных в активную область неосновных носителей заряда, а также временную зависимость мощности излучения СЛД при накачке импульсами прямого тока. Результаты расчета сопоставляются с экспериментальными данными. Получена импульсная мощность излучения СЛД 1.8 Вт при токе накачки 12 А. Минимальная зафиксированная длительность нарастания импульса света СЛД составляла 50 пс.

Поступила в редакцию: 12.11.1991
Принята в печать: 15.11.1991