Спектроскопия КРС ионно-имплантированных слоев GaAs

Методом комбинационного рассеяния света исследован процесс структурного разупорядочения полуизолирующего GaAs, имплантированного ионами Ar$^{+}$ при варьировании дозы и энергии. Проанализированы особенности спектров кристаллической и аморфной фаз. Показано, что процесс структурного разупорядочения GaAs, имплантированного ионами Ar$^{+}$, носит немонотонный характер, что объясняется конкурирующими процессами разупорядочения кристаллической структуры и ее самоотжига, обусловленного процессами диффузии и рекомбинации точечных дефектов.