RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 4, страницы 730–737 (Mi phts4653)

Спектры комбинационного рассеяния и фазовые переходы в AgAsS$_{2}$ под давлением

Р. Г. Куряева, В. А. Киркинский

Институт минералогии и петрографии СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: В камере с алмазными наковальнями изучено влияние давления до 4.2 ГПа на спектры комбинационного рассеяния кристаллического AgAsS$_{2}$. Показано, что при давлениях 2.0, $2.4{-}2.5$, $3.1{-}3.2$ и $3.9{-}4.1$ ГПа в AgAsS$_{2}$ происходят фазовые превращения, причем при давлениях 2.0, $3.1{-}3.2$ и $3.9{-}4.1$ ГПа имеют место переходы первого рода. Для большинства полос, наблюдаемых в спектрах КР, определены модовые параметры ${\gamma_{i}=(1/\nu_{i})}$ (${d\nu_{i}/dP}$). По величинам этих параметров и их поведению в разных интервалах давлений выделены области частот валентных колебаний As$-$S-связей и межслоевых колебаний в AgAsS$_{2}$.

Поступила в редакцию: 12.11.1991
Принята в печать: 04.12.1991



© МИАН, 2025