Переход от гетороструктур первого типа к гетероструктурам второго типа в системе InAs/InAsSbP

При исследовании гетероструктур в системе InAs/InAsSbP обнаружен переход от гетероструктур первого к гетероструктурам второго типа. Построена фазовая диаграмма состояний гетеропереходов этой системы, определяющая области реализации структур первого и второго типов в зависимости от состава четверного раствора. Исследование фотолюминесценции подтверждает существование двух типов гетероструктур. Наблюдалось стимулированное излучение на гетерогранице второго типа.