Электролюминесценция в $p{-}i{-}n$-структурах на основе $a$-Si$_{1-x}$C$_{x}$ : H

Представлены экспериментальные данные по электролюминесценции в видимой области спектра в $p{-}i{-}n$-структуре на основе $a$-Si$_{1-x}$C$_{x}$ : H. Исследовано влияние на спектр излучения туннельно-прозрачных диэлектрических прослоек между собственным и легированными слоями. Интерпретация экспериментальных данных основана на представлениях об энергетической диффузии носителей по хвостам плотности состояний.