Паразитное управление по подложке в полевых транзисторах на арсениде галлия

Экспериментально и теоретически исследованы эффекты управления через полуизолирующую подложку полевыми транзисторами с затвором Шоттки, изготовленными на однородно легированных эпитаксиальных слоях арсенида галлия. Установлено, что причиной паразитного управления через подложку является накопление отрицательного заряда вблизи границы канал$-$подложка из-за дырочной эмиссии Френкеля$-$Пула с глубоких акцепторных центров полуизолирующей подложки. Показано, что пороговость характера эффектов паразитного управления через подложку наблюдается при наличии в пограничной области канал$-$подложка глубокого донора (${\sim0.34}$ эВ). Обсуждены беспороговый и пороговый характеры проявлений эффектов паразитного управления транзистором в стационарном и нестационарном режимах.