Влияние дислокаций, образованных лазерным облучением, на электрофизические и люминесцентные свойства $p$-CdTe

Исследовано влияние наносекундных импульсов излучения рубинового лазера с плотностью мощности ниже порогов плавления, возгонки и разрушения на плотность дислокаций, электрические, фотоэлектрические и люминесцентные свойства кристаллов $p$-CdTe. Показано, что уменьшение проводимости кристаллов после лазерного облучения сопровождается уменьшением величины фототока и интенсивности фотолюминесценции и обусловлено размножениями дислокаций и стеканием на них акцепторов Li$_{\text{Cd}}$ и Na$_{\text{Cd}}$ из объема.