Фотолюминесценция сильно легированного арсенида галлия при упорядоченном распределении примесных комплексов

Приведены результаты исследования изменения спектров фотолюминесценции (ФЛ) в области краевой и примесной излучательной рекомбинации в GaAs (Te) с увеличением уровня легирования от ${n=10^{17}}$ до ${n=10^{19}\,\text{см}^{-3}}$. При концентрациях свободных носителей ${n=(3\div4)\cdot10^{18}\,\text{см}^{-3}}$ обнаружено существенное возрастание интенсивности краевой ФЛ, которое связывается с образованием примесной сверхструктуры. В области концентраций ${n=(1\div3)\cdot10^{18}\,\text{см}^{-3}}$ происходит смена состава доминирующих сложных центров рекомбинации, при ${n>3\cdot10^{18}\,\text{см}^{-3}}$ доминируют центры, ответственные за полосу ФЛ с ${h\nu_{\max}=1.33\div1.4}$ эВ, не связанные с медью. Определена энергия ионизации основного состояния этого центра (${0.14\div0.19}$ эВ).