RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 5, страницы 825–831 (Mi phts4672)

Релаксация фотовозбужденных электронов в двойных квантовых ямах

Ф. Т. Васько


Аннотация: Получено уравнение баланса населенности фотовозбужденных электронов в туннельно-связанных двойных квантовых ямах. Рассмотрены междуямные переходы при спонтанном испускании оптических фононов и рассеянии на равнораспределенных акустических фононах, причем последний механизм включается при ${\Delta<hw_{\text{O}}}$ ($\Delta$ — энергетический зазор между туннельно-связанными уровнями, $w_{\text{O}}$ — частота оптического фонона). Для случая ${\Delta\simeq hw_{\text{O}}}$ на временной зависимости населенности сильно вырожденных электронов вначале имеется замедление процесса релаксации с испусканием оптических фононов (связанное с заполнением двумерных состояний нижнего уровня), а затем — переход на релаксацию с участием акустических фононов.



© МИАН, 2024