Резонансные состояния в легированных и нелегированных кристаллах теллурида свинца

Из анализа электрических и оптических характеристик нелегированных и легированных Tl и Na монокристаллов теллурида свинца сделано заключение о том, что на фоне разрешенного спектра энергии валентной зоны нелегированных кристаллов PbTe существует резонансный уровень шириной ${\sim kT}$ с энергией активации ${\sim45}$ мэВ, отсчитанной от потолка $L$-зоны, обусловленный наличием в матрице полупроводника собственных дефектов.
Введение примесей Tl и Na, а также действие ИК лазерного облучения в области прозрачности матрицы изменяют плотность состояний на уровне и его энергетическое положение $E_{d}$ по отношению к потолку валентной зоны в точке $L$ зоны Бриллюэна. При концентрациях носителей тока, когда ${E_{F} \sim E_{d}}$ (где $E_{F}$ — уровень Ферми), наблюдается резонансное рассеяние дырок, сечение рассеяния которого не зависит от типа введенной примеси.