Вольт-фарадные характеристики тонкопленочных структур $n$-GaAs

Для арсенид-галлиевой тонкопленочной структуры пленка$-$полуизолирующая компенсированная подложка с контактом Шоттки на пленке получена в аналитическом виде зависимость низкочастотной барьерной емкости от запорного напряжения на барьере Шоттки. Показано, что особенности вольт-фарадной зависимости тонкопленочных структур $n$-GaAs с барьером Шоттки обусловлены процессами перезарядки глубоких центров в переходе пленка$-$подложка при смыкании областей обеднения барьера и перехода пленка$-$подложка, что, в частности, позволяет определить по измерениям низкочастотной барьерной емкости концентрацию незаполненных глубоких центров в подложке вблизи границы с пленкой.