Влияние радиационных дефектов, введенных $\alpha$-частицами, на обратные токи кремниевых $p{-}n$-переходов

С помощью методики нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней на барьерах Шоттки и отжигов в диапазоне температур $100{-}340^{\circ}$C исследованы радиационные дефекты, вводимые $\alpha$-частицами ($\alpha$-РД) изотопного источника на основе ${}^{210}$Po в $p$- и $n$-Si. В $p$-Si обнаружены центры с уровнями ${E_{v}+0.20}$, ${E_{v}+0.24}$, ${E_{v}+0.32}$ и ${E_{v}+0.42}$ эВ, а в $n$-Si с уровнями ${E_{c}-0.18}$, ${E_{c}-0.23}$, ${E_{c}-0.30}$ и ${E_{c}-0.37}$ эВ. Изучено влияние отжига в диапазоне температур $200{-}500^{\circ}$C на обратные токи $n^{+}{-}p$- и $p^{+}{-}n$-переходов. Показано, что энергии активации обратных токов $n^{+}{-}p$- и $p^{+}{-}n$-переходов коррелируют с энергетическими уровнями доминирующих генерационнорекомбинационных центров, обусловленных $\alpha$-РД, в $p$- и $n$-Si соответственно.