О природе «аномальных» DLTS-спектров в монокристаллах германия с дислокациями

В монокристаллах $n$-Ge с ростовыми дислокациями обнаружена корреляция между пиком DLTS-спектра, связываемого с вакансионно-кислородными комплексами с донорными уровнями ${E_{c}-0.21}$ эВ, и плотностью микродефектов, выявляемых методом селективного травления. Показано, что скопления этих комплексов на дислокациях и в микродефектах приводят к электрической неоднородности кристалла и к избыточным проводимости и емкости исследуемых диодов Шоттки Au${-}n$-Ge. Обсуждается механизм формирования аномальных DLTS-спектров. Сделано заключение, что скопление кислородных комплексов в котрелловской атмосфере дислокаций приводит к компенсации мелких акцепторных состояний, ассоциирующихся с дислокациями. Высказаны предположения об участии вакансионно-кислородных комплексов с донорными уровнями ${E_{c}-0.21}$ эВ в дислокационной фотолюминесценции. Предполагается, что донорно-акцепторное взаимодействие в расщепленных дислокациях обусловливает наблюдавшиеся в Ge серии бесфононных линий дислокационной фотолюминесценции.