Аннотация:
Экспериментально продемонстрирована возможность управления
вольт-амперной характеристикой (ВАХ) трех связанных копланарных
резонансно-туннельных диодов (РТД), изготовленных в едином технологическом
процессе из одной двухбарьерной гетероструктуры на полуизолирующей
подложке. Изменением напряжения на одном из РТД удавалось выравнивать
высоту резонансных пиков на ВАХ двух других диодов, соединенных
последовательно. Это важно при использовании РТД в ячейках многоуровневой
логики. Дана физическая интерпретация эффекта.