Кинетические свойства кристаллов $n$-ZnSe с радиационными дефектами

В интервале температур от 77 до 300 K в равновесных и неравновесных условиях изучены особенности температурных зависимостей коэффициента Холла, электропроводности и холловской подвижности носителей тока в кристаллах $n$-ZnSe, облученных электронами с энергией 1.3 МэВ. Доза электронного облучения варьировалась в пределах от ${2.7\cdot10^{16}}$ до ${5.2\cdot10^{17}\,\text{эл/см}^{2}}$. Наблюдаемые особенности кинетических явлений в облученных кристаллах объясняются в рамках модели неоднородного полупроводника, представляющего собой при малых и средних дозах радиационного облучения низкоомную матрицу с высокоомными кластерными включениями. По мере увеличения дозы электронного облучения перекрытие областей пространственного заряда, окружающего высокоомные включения, увеличивается и рассматриваемая модель переходит при дозе, равной ${3\cdot10^{17}\,\text{эл/см}^{2}}$, в модель случайного потенциального рельефа.