RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 5, страницы 921–926 (Mi phts4690)

Влияние заряда, встроенного в изотипный гетеропереход, на вольт-фарадные характеристики барьерной структуры

Д. Н. Бычковский, О. В. Константинов


Аннотация: Построена теория, учитывающая заряженные дефекты, локализованные на гетерогранице. Показано, что на вольт-фарадной характеристике барьерной структуры с гетеропереходом появляются особенности, позволяющие определить разрыв зоны проводимости и концентрацию заряженных дефектов на гетерогранице. Проведено сравнение теоретической и экспериментальной характеристик.



© МИАН, 2024