Фотолюминесценция компенсированного SiC-6H

Исследована фотолюминесценция (ФЛ) компенсированных и некомпенсированных эпитаксиальных слоев SiC-$6H$. Слои выращивались методом бесконтейнерной жидкостной эпитаксии и содержали различные концентрации азота (донор) и алюминия (акцептор). Исследование спектров донорно-акцепторной люминесценции показало, что при уровне легирования ${3\cdot10^{18}\,\text{см}^{-3}}$ в сильно компенсированных образцах проявляется потенциальный рельеф зон. Показано, что высокотемпературная ФЛ (${500\div900}$ K) SiC-$6H$ обусловлена в основном излучательной аннигиляцией свободного экситона. Установлено, что при высокой температуре форма экситонной полосы гауссова. Обсуждаются возможные факторы уширения экситонной полосы. В сильно компенсированных образцах наблюдается сдвиг максимума полосы экситонной люминесценции в область меньших энергий. Высказано предположение о локализации экситона в зонном рельефе. Обнаружена сильная зависимость интенсивности люминесценции свободного экситона от концентрации акцептора A1. Предложена модель распада экситона в окрестности акцептора A1 в компенсированном карбиде кремния.