RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 6, страницы 1004–1007 (Mi phts4704)

Геттерирование в кремнии в условиях генерации вакансий

Р. М. Амальская, Н. Т. Баграев, Л. Е. Клячкин, В. Л. Суханов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Эффективность процесса трехступенчатого геттерирования проанализирована в зависимости от толщины окисла, выращенного как на рабочей, так и на нерабочей поверхностях кремниевой пластины.
Показано, что наиболее интенсивно геттерирование остаточных примесей происходит при наличии тонкого окисла (в условиях генерации неравновесных собственных междоузельных атомов) или толстого окисла (в условиях генерации неравновесных вакансий). Промежуточная область толщин окисла, характеризующаяся интенсивной аннигиляцией вакансий и собственных междоузельных атомов вблизи поверхности пластины, не позволяет реализовать условия эффективного геттерирования.

Поступила в редакцию: 12.11.1991
Принята в печать: 26.11.1991



© МИАН, 2025