RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 6, страницы 1008–1014 (Mi phts4705)

Ультрафиолетовые карбид-кремниевые фотоприемники

Р. Г. Веренчикова, Ю. А. Водаков, Д. П. Литвин, Е. Н. Мохов, А. Д. Роенков, В. И. Санкин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Приведены характеристики различных карбид-кремниевых фотоприемников: 1)  на барьере Шоттки; 2)  на $p{-}n$-переходах, полученных эпитаксией и диффузией алюминия и бора; 3)  лавинные фотодиоды. Показано, что они обладают высокой эффективностью в УФ области спектра с максимумом чувствительности 250$-$330 нм и сохраняют работоспособность до температур 500$^{\circ}$C.

Поступила в редакцию: 14.11.1991
Принята в печать: 26.11.1991



© МИАН, 2025