А. А. Кальфа, В. В. Чикун, “Вольт-амперные характеристики диодов Шоттки со слоем слабо легированного полупроводника в области пространственного заряда”, Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 6,страницы 1024

Вольт-амперные характеристики диодов Шоттки со слоем слабо легированного полупроводника в области пространственного заряда

А. А. Кальфа, В. В. Чикун

Аннотация: Предложена модель расчета обратной ветви ВАХ на диодах с неоднородным легированием области пространственного заряда в барьере Шоттки. В приближении ВКБ (WKB) найдена величина одномерного уравнения Пуассона. Экспериментально измерена ВАХ GaAs диодов Шоттки с металлизацией Au/Ti, напыляемой на холодную подложку. Получено хорошее совпадение расчетной и экспериментальной ВАХ.