Влияние сильного СВЧ поля на фотоэлектрические характеристики кремниевых $p{-}n$-переходов

Исследовано изменение фотоэлектрических характеристик кремниевых $p{-}n$-переходов в сильном СВЧ поле. Показано, что высота барьера $p{-}n$-перехода в сильном СВЧ поле и уменьшение барьера при освещении $p{-}n$-перехода пропорциональны высоте начального барьера, если последний уменьшен прямым смещением. Вблизи нулевого смещения и при обратном смещении эта пропорциональность нарушается за счет влияния обратного тока через $p{-}n$-переход. Предложен механизм увеличения барьера $p{-}n$-перехода, основанный на учете генерационно-рекомбинационных процессов в слое объемного заряда.