Влияние накопления неосновных носителей в $p^{+}$-слое на процесс восстановления напряжения на $p^{+}{-}n$-переходе

Рассматривается влияние накопления неосновных носителей в сильно легированном $p^{+}$-слое $p^{+}{-}n{-}n^{+}$-диода на процесс восстановления напряжения на нем при смене направления протекающего через прибор тока.
Эксперименты, проведенные для диодов с различным градиентом распределения концентрации легирующей примеси в $p{-}n$-переходе ($dn/dx$), показали, что накопление носителей в приборе существенно уменьшает скорость роста напряжения на нем на этапе выноса носителей из диода.
Численный расчет оказался в хорошем согласии с данными эксперимента при подборе только одного параметра — коэффициента инжекции $p^{+}{-}n$-перехода, значение которого может изменяться в пределах от 1 до 0.26 для диодов с различными значениями $dn/dx$. В частности, при уменьшении $dn/dx$ от ${8\cdot10^{18}}$ до ${1.2\cdot10^{18}\,\text{см}^{-4}}$ коэффициент инжекции изменяется от 0.5 до 0.26.