RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 6, страницы 1063–1068 (Mi phts4713)

Низкотемпературная фотолюминесценция монокристаллических слоев Zn$_{x}$Cd$_{1-x}$Te, полученных твердофазным замещением

В. Н. Бабенцов, С. И. Горбань, Ю. Н. Евтухов

Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев

Аннотация: Исследовано влияние процесса твердофазных реакций замещения (ТРЗ), проводимого в неоптимальных условиях, на спектры низкотемпературной фотолюминесценции (НФЛ) подложки CdTe и выращенных на ней слоев Zn$_{x}$Cd$_{1-x}$Te. Показано, что в подложке после ТРЗ на спектрах НФЛ пропадают полосы, связанные с комплексом $A{-}$H, и появляются линии $A{-}A$-комплексов. Кроме этого, как в CdTe, так и в твердом растворе ZnCdTe появляются полосы $D$ вызванные дефектом типа дислокационная петля. Установлено, что механизм рекомбинации экситона на $D$-центре в твердом растворе аналогичен механизму в теллуриде кадмия.

Поступила в редакцию: 10.12.1991
Принята в печать: 16.01.1992



© МИАН, 2025