Исследование преобразования дефектов в кристаллах CgTe при кратковременном отжиге методом люминесцентного профилирования

Исследовано преобразование дефектов, обусловленных остаточными примесями Cu, Li, P в теллуриде кадмия $p$-типа.
Для анализа преобразования состояния примесей в решетке кристалла использованы профили распределения интенсивности излучения донорно-акцепторных ($D{-}A$) пар и экситонов, связанных на изолированных донорах и акцепторах ($I_{2}$ и $I_{1}$).
Стехиометрию кристаллов изменяли кратковременным отжигом в насыщенных парах кадмия или в вакуумированной ампуле при $600^{\circ}$ C. Контроль распределения избыточных кадмия и теллура в образце после отжига проводили рентгеновским микроанализатором.
Обнаружено, что в области фронта диффузии кадмия наблюдается трансформация спектра связанных экситонов, соответствующая реакции ${\text{Cu}_{\text{Cd}}+\text{Cd}_{j}=\text{Cu}_{j}}$. Кроме того, установлено, что интенсивность линии $I_{1}$ коррелирует по толщине кристалла с интенсивностью $D{-}A$-полосы 850 нм.
Это доказывает, что в исследованных кристаллах CdTe остаточная медь является важной примесью, определяющей в зависимости от положения в решетке донорные или акцепторные уровни, а избыточный кадмий в излучательных переходах не проявляется.