Исследование преобразования дефектов в кристаллах CgTe при кратковременном отжиге методом люминесцентного профилирования
В. Н. Бабенцов,
Л. В. Рашковецкий,
Е. А. Сальков,
Н. И. Тарбаев Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев
Аннотация:
Исследовано преобразование дефектов, обусловленных остаточными примесями Cu, Li, P в теллуриде кадмия
$p$-типа.
Для анализа преобразования состояния примесей в решетке кристалла использованы профили распределения интенсивности излучения донорно-акцепторных (
$D{-}A$) пар и экситонов, связанных на изолированных донорах и акцепторах (
$I_{2}$ и
$I_{1}$).
Стехиометрию кристаллов изменяли кратковременным отжигом в насыщенных парах кадмия или в вакуумированной ампуле при
$600^{\circ}$ C. Контроль распределения избыточных кадмия и теллура в образце после отжига проводили рентгеновским микроанализатором.
Обнаружено, что в области фронта диффузии кадмия наблюдается трансформация спектра связанных экситонов, соответствующая реакции ${\text{Cu}_{\text{Cd}}+\text{Cd}_{j}=\text{Cu}_{j}}$. Кроме того, установлено, что интенсивность линии
$I_{1}$ коррелирует по толщине кристалла с интенсивностью
$D{-}A$-полосы 850 нм.
Это доказывает, что в исследованных кристаллах CdTe остаточная медь является важной примесью, определяющей в зависимости от положения в решетке донорные или акцепторные уровни, а избыточный кадмий в излучательных переходах не проявляется.
Поступила в редакцию: 10.01.1992
Принята в печать: 22.01.1992