Физика и техника полупроводников,
1992, том 26, выпуск 6,страницы 1096–1099(Mi phts4716)
Определение сечения фотоионизации легирующих примесей
в полупроводниках из измерений эффекта Холла
А. С. Веденеев, А. Г. Ждан, В. В. Рыльков, А. Г. Шафран
Аннотация:
Определено сечение фотоионизации примесей Ga в Si $\langle\text{Ga}\rangle$
исходя из измерений фото-холл-эффекта. Развитый метод не чувствителен к выбору
толщины образца, качеству освещаемой поверхности и флуктуациям активности
возбуждающего излучения.